新闻面上，据财联社，美国银行最新钻研汇报指出，随着英伟达GPU平台迭代，数据中心理柜功耗将从传统服务器的10至15千瓦飙升至2029至2030年Feynman平台时期的逾1.5兆瓦，涨幅靠近100倍，现有电力基础设施已无力承载这一需要。碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）成为破解电力瓶颈的主题资料，正从汽车与工业周期需要转向AI数据中心持久结构性需要。 公开资料显示，天岳先进（2631.HK）是国内碳化硅衬底龙头，高端SiC资料机能达标，适配先进封装中介层利用场景，技术壁垒高，且市场份额全球第一。英诺赛科（2577.HK）为全球首家实现8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)集成设计造作量产的企业。公司凭借在氮化镓领域的丰富堆集和经验，成功将氮化镓的利用天堑从消费电子拓展至AI数据中心、新能源汽车及机械人关节驱动三大主题领域。 数据显示，天岳先进（2631.HK）和英诺赛科（2577.HK）均是港股通讯息C（中证港股通讯息技术综合指数）的成分股。港股通讯息C从港股通标的中，拔取中证行业一级分类是信息技术的股票，进行打包假造，沉仓港股“半导体+电子+推算机”三大主题领域。