三星电子(005930.KS)市值突破1万亿美元后,美股5月26日收盘,美光科技(MU.O)大涨19.29%,创下股价新高,市值站上1万亿美元。5月27日盘中,SK海力士(000660.KS)股价也一度上涨11%,市值突破1万亿美元大关。至此,最大的三家DRAM(动态随机存取内存)存储原厂市值都在万亿美元量级。
从收盘价看,美光是第二家市值站上万亿美元的DRAM存储原厂。从今岁首到5月26日,美光股价累计上涨了2.14倍,若从2025岁首起头算起,美光股价累计上涨9.68倍。
本钱市场对三大存储原厂的关注与AI带头的需要增长有关,出格是与AI有关性最强的HBM(高带宽内存,一种DRAM),重要就来自这三家原厂。其中,SK海力士HBM市场份额最大,但美光追赶速度颇快。
三家原厂中,美光对HBM的投入也较多。据TrendForce集国征询统计,去年SK海力士占据HBM市场的一半以上,三星、SK海力士、美光HBM占公司内存产能的比例则别离为23%、18%和26%,美光HBM在内存中的比例偏高。为了实现追赶,此前美光曾凌驾HBM3一代,直接投入HBM3e,并进入英伟达供给链。
机构预测今年美光仍有望抢得更多HBM市场。据TrendForce集国征询数据,去年SK海力士、美光和三星HBM出产位元占比别离为59%、20%、20%,今年SK海力士的占比预计缩幼至50%,美光增长至28%。HBM市场规模预计同步扩大,预计今年将突破300亿Gb。
不外,随着HBM4进入贸易化周期,行业竞争也变得更强烈。有业界人士向记者分析,美光此前追上了HBM3e利用的功夫点,并与SK海力士一起成为HBM市场最大需要方英伟达去年的重要供给商,三星去年则侧沉AMD等其他客户。
但今年三星已在迎头赶上。随着英伟达产品迭代,三家HBM4供给商今年同时导入英伟达供给链。今年3月的英伟达GTC大会上,美光颁发为英伟达Vera Rubin设计的HBM4 36GB 12-high产品起头批量出货。三星也颁发,为Vera Rubin设计的第六代HBM4进入量产周期。
对美光而言,眼下最沉要的工作蕴含推动HBM4出产顺利爬坡。在3月的财报电话会上,美光高管暗示,随着HBM4的出产爬坡和批量出货的进行,预计HBM4达到成熟良率的速度将快于HBM3e。去年第三季度,该公司达到为HBM设定的指标,即HBM份额与DRAM整体份额吃旖,今年将同时供给HBM3e和HBM4。
不外,从DRAM整体收入来看,美光与另表两家原厂相比仍有差距。据市场钻研机构闪存市场数据,依照去年第四时度DRAM原厂营收统计,三星市占率最高,占比37.1%,SK海力士和美光市占率别离为33.1%和20.8%。该季度NAND闪存营收排名中,三星和SK海力士位居前二,美光则位列第五,市占率11.6%,与其他两家差距显著。
从业绩变动看,在截至今年2月26日的季度中,美光营收同比增长196%至238.6亿美元,GAAP净利润同比增长数倍至137.9亿美元。该公司预计,2026年行业DRAM位元出货量将增长20%以上,NAND闪存位元出货量同比增长约20%,公司2026年的DRAM和NAND供给量增长幅杜纂行业大体吃旖。
市值站上了1亿美元的美光,当前也与其他存储原厂一起面对行业缺货、供给严重的机缘和挑战,并同步建设产能。业界普遍预计,依照原厂建设进度,到2027年存储产品仍将维持供给严重的情况。
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